Об'єктом дослідження є енергетичні стани частинок і квазічастинок в тришаровій квантово-розмірній структурі, створеній на основі твердого розчину GaAs/AlxGa1-xAs, яка знаходиться у i області p-i-n фотодіоду.
Метою даної кваліфікаційної роботи є дослідження залежності енергетичних характеристик коефіцієнту поглинання квантово-розмірного фотоприймача від інженерних параметрів квантово-розмірної структури.
Методом досягнення є квантово-механічне моделювання енергетичних станів частинок і квазічастинок в активній області фотоприймача за допомогою розв’язання стаціонарного рівняння Шредінгера. За допомогою математичного пакету Mathcad, проведено дослідження впливу на коефіцієнт поглинання структурних параметрів активної області
фотоприймача, створеного на основі багатошарової квантово-розмірної структури.