В работе приведена модель для расчета спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон на примере GaAs. Данная модель хорошо согласуется с экспериментальными данными для р GaAs и требует уточнения для n-GaAs. Несмотря на это, может быть использована в математических моделях, описывающих работу фотоэлектрических преобразователей.