Об’єкт дослідження – напівпровідниковий квантово-каскадний лазер. Мета роботи – обгрунтувати вибір типу наноструктури для створення квантового каскаду в активній області квантово-каскадного лазеру.
Метод дослідження – порівняльний аналіз розподілу квантових станів у багатошарових квантових розмірних структурах різних конструкцій на піставі математичного моделювання. Актуальність теми дослідження обумовлена тим, що ККЛ є перспективним напрямком розвитку напівпровідникових лазерів. Використання ККЛ дозволяє поліпшити характеристики лазерних випрмінювачів і розширити можливості їх застосування.