Публікація:
Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2012

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

Вебер

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.

Опис

Ключові слова

контакт металл-полупроводник, омический контакт, субмикронные полупроводниковые приборы, полевые транзисторы с затвором Шоттки

Бібліографічний опис

Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.

DOI