Please use this identifier to cite or link to this item: http://openarchive.nure.ua/handle/document/1397
Title: Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
Authors: Сологуб, О. Ю.
Keywords: прямая структура энергетических зон
оптические спектры
Issue Date: 2010
Publisher: ХНУРЭ
Citation: Сологуб, О. Ю. Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон / О. Ю. Сологуб //Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 353-354.
Abstract: Целью работы является численное исследование зависимости края собственного поглощения полупроводниковых материалов А3В5 на примере GaAs от концентрации примесей. In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.
URI: http://openarchive.nure.ua/handle/document/1397
Appears in Collections:3 Международная научная конференция "Функциональная компонентная база микро-,опто- и наноэлектроники. Харьков-Кацивели 2010

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3 (353-354)ХНУРЭ.doc37 kBMicrosoft WordView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Admin Tools