За технічних причин Електронний архів Харківського національного університету радіоелектроніки «ElAr КhNURE» працює тільки на перегляд. Про відновлення роботи у повному обсязі буде своєчасно повідомлено.
 

Публікація:
Высоколокальная сканирующая модификация полупроводников и диэлектриков

dc.contributor.authorГордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.authorСлипченко, Н. И.
dc.contributor.authorПолетаев, Д. А.
dc.contributor.authorПроказа, А. М.
dc.contributor.authorПятайкина, М. И.
dc.date.accessioned2016-07-13T10:48:11Z
dc.date.available2016-07-13T10:48:11Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractПредложены принципы осуществления высоко-локального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков с целью их модификации в различных микротехнологиях, включая микроэлектронные. В первую очередь, такой подход может оказаться перспективным для локального перелегирования и термического окисления кремния, локальной ре- кристаллизации и отжига различных материа-лов, в том числе, в пленочном конструктиве. Проведены численные исследования пространственно-временного распределения температуры в объекте под ближнеполевым СВЧ высоколокальным зондом с коаксиальной апертурой. Установлены основные количествен-ные зависимости указанного распределения от электрофизических параметров полупровод-никового объекта и конструктива СВЧ зонда. The present paper concerns the implementation principles for high local scanning UHF heating of semiconductors and dielectrics with the purpose of their modification in various microtechnologies, including microelectronic technologies. Numerical investigations of spatiotemporal temperature distribution in the object under near-field UHF high local probe with coaxial aperture have been carried out. Basic quantitative dependencies of the above distribution upon electrophysical parameters of semiconductor object and UHF probe structural element have been determined.uk_UA
dc.identifier.citationВысоколокальная сканирующая модификация полупроводников и диэлектриков / Ю. Е. Гордиенко и др. // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 23-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2013), 8-13 сент. 2013 г. - Севастополь : Вебер, 2013. - Т. 2. - С. 726-727.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/1501
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherВеберuk_UA
dc.subjectвысоколокальный сканирующий СВЧ нагревuk_UA
dc.subjectсканирующая модификация полупроводников и диэлектриковuk_UA
dc.subjecthigh local scanning UHF heatinguk_UA
dc.titleВысоколокальная сканирующая модификация полупроводников и диэлектриковuk_UA
dc.typeConference proceedingsuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
726.pdf
Розмір:
312.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: