Публікація: Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний
| dc.contributor.author | Быков, М. А. | |
| dc.contributor.author | Слипченко, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Зуев, С. А. | |
| dc.date.accessioned | 2016-07-07T11:57:19Z | |
| dc.date.available | 2016-07-07T11:57:19Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | n this paper the results of numerical researches of carrier’s transitions processes in structures on the heterojunction amorphous - monocrystalline silicon are presented and analyzed. В настоящее время большое внимание уделяется способам получения энергии, поступающей от Солнца, путем фотопреобразования. Существенным фактором, ограничивающим возможности получения энергии данного типа, является высокая стоимость технологического процесса и экологическая проблема при производстве преобразователей с высокой эффективностью фотопреобразования. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Быков, М .А. Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 245-247 | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/1374 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
| dc.subject | фотопреобразование | uk_UA |
| dc.subject | монокристаллический кремний | uk_UA |
| dc.title | Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний | uk_UA |
| dc.type | Conference proceedings | uk_UA |
| dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакет
1 - 1 з 1
Ліцензійний пакет
1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: