За технічних причин Електронний архів Харківського національного університету радіоелектроніки «ElAr КhNURE» працює тільки на перегляд. Про відновлення роботи у повному обсязі буде своєчасно повідомлено.
 

Публікація:
Высоколокальный свч нагрев полупроводников и диэлектриков

dc.contributor.authorГордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.authorПолетаев, Д. А.
dc.contributor.authorПроказа, А. М.
dc.contributor.authorСлипченко, Н. И.
dc.date.accessioned2018-04-11T14:09:40Z
dc.date.available2018-04-11T14:09:40Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractПредложены принципы осуществления высоколокального СВЧ нагрева полупроводниковых материалов с целью их сканирующего перелегирования, оксидирования, отжига и других термических модификаций, которые используются в микро- и нанотехнологиях. Показана возможность создания СВЧ ближнеполевого аппликатора на основе конусного коаксиального зонда. Проведены численные исследования пространственно-временного распределения температуры в области воздействия такого аппликатора в зависимости от электрофизических параметров полупроводникового материала и конструктива зонда.uk_UA
dc.identifier.citationВысоколокальный свч нагрев полупроводников и диэлектриков / Ю. Е. Гордиенко, Д. А. Полетаев, А. М. Проказа, Н. И. Слипченко // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2013. – Т. 12, № 3 – С. 452–458.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/4739
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectСВЧ модификацияuk_UA
dc.subjectтепловыделениеuk_UA
dc.subjectконусный коаксиальный СВЧ зондuk_UA
dc.titleВысоколокальный свч нагрев полупроводников и диэлектриковuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
452-458.pdf
Розмір:
2.15 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: