Публікація: Исследование влияния параметров состава Х на выходные характеристики тандемных фотопреобразователей со структурой AlGaAs-InGaAs-GaAs
| dc.contributor.author | Слипченко, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Письменецкий, В. А. | |
| dc.contributor.author | Лукьяненко, В. Л. | |
| dc.contributor.author | Гуртовой, М. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2016-08-02T09:07:53Z | |
| dc.date.available | 2016-08-02T09:07:53Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description.abstract | The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics of tandem photoconverters with structure AlGaAs-InGaAs-GaAs has been investigated. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Исследование влияния параметров состава Х на выходные характеристики тандемных фотопреобразователей со структурой AlGaAs-InGaAs-GaAs / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, В. Л. Лукьяненко, М. Ю. Гуртовой // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., 30 сент. – 3 окт. 2011 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2011. – С. 302–305. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/1712 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
| dc.subject | наноэлектроника | uk_UA |
| dc.subject | фотопреобразователь | uk_UA |
| dc.subject | солнечная фотоэнергетика | uk_UA |
| dc.title | Исследование влияния параметров состава Х на выходные характеристики тандемных фотопреобразователей со структурой AlGaAs-InGaAs-GaAs | uk_UA |
| dc.type | Conference proceedings | uk_UA |
| dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакет
1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
- Назва:
- Исследование влияния параметров.odt
- Розмір:
- 95.71 KB
- Формат:
- OpenDocument Text
Ліцензійний пакет
1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: