За технічних причин Електронний архів Харківського національного університету радіоелектроніки «ElAr КhNURE» працює тільки на перегляд. Про відновлення роботи у повному обсязі буде своєчасно повідомлено.
 

Публікація:
Модель высокоинтенсивного локального воздействия СВЧ-излучения на полупроводниковые слоистые структуры

dc.contributor.authorГордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.authorСлипченко, Н. И.
dc.contributor.authorТаран, Е. П.
dc.date.accessioned2016-07-14T08:07:26Z
dc.date.available2016-07-14T08:07:26Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractПредложена численная модель высоколокального воздействия СВЧ-излучения на полупровод-никовые структуры. Электродинамическая часть модели построена с использованием метода конечных разностей во временной области (FDTD) с адаптивной пространственной сеткой. При построении тепловой части использовался метод независимых тепловых потоков. Получены распределения электромагнитных и температурных полей в полупроводниковой структуре, которые позволяют определить характерные размеры локальных участков с повышенной температурой при воздействии высокоинтенсивных электромагнитных полей СВЧ-диапазона. The numerical model of local high-local influence of microwave radiation on semiconductor structures is presented. The electrodynamic part of the model is constructed with use of a method of FDTD with an adaptive spatial grid. At creation of thermal part the method of independent thermal streams was used. Distributions of electromagnetic and temperature fields in semiconductor structure which allow determining the characteristic sizes of local sites with increased temperature in semiconductor structures under the influence of electromagnetic fields of microwave range are obtained.uk_UA
dc.identifier.citationГордиенко, Ю. Е. Модель высокоинтенсивного локального воздействия СВЧ-излучения на полупроводниковые слоистые структуры / Ю. Е. Гордиенко, Н. И. Слипченко, Е. П. Таран // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 23-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2013), 8-13 сент. 2013 г. - Севастополь : Вебер, 2013. - Т. 2. - С. 916-917.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/1533
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherВеберuk_UA
dc.subjectСВЧ-излучениеuk_UA
dc.subjectполупроводниковые слоистые структурыuk_UA
dc.subjectэлектромагнитные поля СВЧ-диапазонаuk_UA
dc.subjecthigh-local influence of microwave radiationuk_UA
dc.subjectsemiconductor structureuk_UA
dc.titleМодель высокоинтенсивного локального воздействия СВЧ-излучения на полупроводниковые слоистые структурыuk_UA
dc.typeConference proceedingsuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
916.pdf
Розмір:
321.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: